SI8904EDB-T2-E1

SI8904EDB-T2-E1 - Vishay Siliconix

Numéro d'article
SI8904EDB-T2-E1
Fabricant
Vishay Siliconix
Brève description
MOSFET 2N-CH 30V 3.8A 6-MFP
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
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Catégorie
Transistors - FET, MOSFET - Matrices
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1 Day
Code de date
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4466 pcs
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SI8904EDB-T2-E1 Description détaillée

Numéro d'article SI8904EDB-T2-E1
État de la pièce Obsolete
FET Type 2 N-Channel (Dual) Common Drain
FET Caractéristique Logic Level Gate
Drain à la tension de source (Vdss) 30V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 3.8A
Rds On (Max) @ Id, Vgs -
Vgs (th) (Max) @ Id 1.6V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs -
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds -
Puissance - Max 1W
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Paquet / cas 6-MICRO FOOT®CSP
Package de périphérique fournisseur 6-Micro Foot™
Poids -
Pays d'origine -

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