| Numéro d'article | SI8425DB-T1-E1 |
|---|---|
| État de la pièce | Active |
| FET Type | P-Channel |
| La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain à la tension de source (Vdss) | 20V |
| Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C | - |
| Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 900mV @ 250µA |
| Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 110nC @ 10V |
| Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 2800pF @ 10V |
| Vgs (Max) | ±10V |
| FET Caractéristique | - |
| Dissipation de puissance (Max) | 1.1W (Ta), 2.7W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 23 mOhm @ 2A, 4.5V |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage | Surface Mount |
| Package de périphérique fournisseur | 4-WLCSP (1.6x1.6) |
| Paquet / cas | 4-UFBGA, WLCSP |
| Poids | - |
| Pays d'origine | - |
| Image | Numéro d'article | Les fabricants | La description | Vue |
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