SI7956DP-T1-GE3 Description détaillée
| Numéro d'article |
SI7956DP-T1-GE3 |
| État de la pièce |
Active |
| FET Type |
2 N-Channel (Dual) |
| FET Caractéristique |
Logic Level Gate |
| Drain à la tension de source (Vdss) |
150V |
| Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C |
2.6A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs |
105 mOhm @ 4.1A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id |
4V @ 250µA |
| Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs |
26nC @ 10V |
| Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds |
- |
| Puissance - Max |
1.4W |
| Température de fonctionnement |
-55°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage |
Surface Mount |
| Paquet / cas |
PowerPAK® SO-8 Dual |
| Package de périphérique fournisseur |
PowerPAK® SO-8 Dual |
| Poids |
- |
| Pays d'origine |
- |
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