SI7956DP-T1-GE3 detaillierte Beschreibung
| Artikelnummer |
SI7956DP-T1-GE3 |
| Teilstatus |
Active |
| FET Typ |
2 N-Channel (Dual) |
| FET-Eigenschaft |
Logic Level Gate |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) |
150V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C |
2.6A |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs |
105 mOhm @ 4.1A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id |
4V @ 250µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs |
26nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds |
- |
| Leistung max |
1.4W |
| Betriebstemperatur |
-55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart |
Surface Mount |
| Paket / Fall |
PowerPAK® SO-8 Dual |
| Lieferantengerätepaket |
PowerPAK® SO-8 Dual |
| Gewicht |
- |
| Ursprungsland |
- |
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