SI7703EDN-T1-GE3

SI7703EDN-T1-GE3 - Vishay Siliconix

Numéro d'article
SI7703EDN-T1-GE3
Fabricant
Vishay Siliconix
Brève description
MOSFET P-CH 20V 4.3A 1212-8 PPAK
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
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Catégorie
Transistors - FET, MOSFET - Simples
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1 Day
Code de date
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4283 pcs
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SI7703EDN-T1-GE3 Description détaillée

Numéro d'article SI7703EDN-T1-GE3
État de la pièce Obsolete
FET Type P-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss) 20V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 4.3A (Ta)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 800µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 18nC @ 4.5V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds -
Vgs (Max) ±12V
FET Caractéristique Schottky Diode (Isolated)
Dissipation de puissance (Max) 1.3W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 48 mOhm @ 6.3A, 4.5V
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Package de périphérique fournisseur PowerPAK® 1212-8
Paquet / cas PowerPAK® 1212-8
Poids -
Pays d'origine -

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