SI7703EDN-T1-GE3 detaillierte Beschreibung
| Artikelnummer |
SI7703EDN-T1-GE3 |
| Teilstatus |
Obsolete |
| FET Typ |
P-Channel |
| Technologie |
MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) |
20V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C |
4.3A (Ta) |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) |
1.8V, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id |
1V @ 800µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs |
18nC @ 4.5V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds |
- |
| Vgs (Max) |
±12V |
| FET-Eigenschaft |
Schottky Diode (Isolated) |
| Verlustleistung (Max) |
1.3W (Ta) |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs |
48 mOhm @ 6.3A, 4.5V |
| Betriebstemperatur |
-55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart |
Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket |
PowerPAK® 1212-8 |
| Paket / Fall |
PowerPAK® 1212-8 |
| Gewicht |
- |
| Ursprungsland |
- |
VERWANDTE PRODUKTE FÜR SI7703EDN-T1-GE3
