SI4808DY-T1-GE3

SI4808DY-T1-GE3 - Vishay Siliconix

Numéro d'article
SI4808DY-T1-GE3
Fabricant
Vishay Siliconix
Brève description
MOSFET 2N-CH 30V 5.7A 8SOIC
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
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Catégorie
Transistors - FET, MOSFET - Matrices
Heure de livraison
1 Day
Code de date
New
Quantité en stock
29401 pcs
Prix ​​de référence
USD 0.9059/pcs
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SI4808DY-T1-GE3 Description détaillée

Numéro d'article SI4808DY-T1-GE3
État de la pièce Active
FET Type 2 N-Channel (Dual)
FET Caractéristique Logic Level Gate
Drain à la tension de source (Vdss) 30V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 5.7A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 22 mOhm @ 7.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 800mV @ 250µA (Min)
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 20nC @ 10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds -
Puissance - Max 1.1W
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Paquet / cas 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Package de périphérique fournisseur 8-SO
Poids -
Pays d'origine -

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