SI4808DY-T1-GE3 - Vishay Siliconix

Número de pieza: SI4808DY-T1-GE3
Fabricante: Vishay Siliconix
Breve descripción: MOSFET 2N-CH 30V 5.7A 8SOIC
Estado sin plomo / Estado RoHS: Sin plomo / Cumple con RoHS
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Categoría: Transistores - FET, MOSFET - Arreglos
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Cantidad de stock: 28104 pcs
Precio de referencia: USD 0.9059/pcs
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Número de pieza	SI4808DY-T1-GE3
Estado de la pieza	Active
Tipo de FET	2 N-Channel (Dual)
Característica FET	Logic Level Gate
Drene a la fuente de voltaje (Vdss)	30V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	5.7A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	22 mOhm @ 7.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	800mV @ 250µA (Min)
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs	20nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	-
Potencia - Max	1.1W
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete / caja	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Paquete de dispositivo del proveedor	8-SO
Peso	-
País de origen	-

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