SI4559ADY-T1-E3 Description détaillée
Numéro d'article |
SI4559ADY-T1-E3 |
État de la pièce |
Active |
FET Type |
N and P-Channel |
FET Caractéristique |
Logic Level Gate |
Drain à la tension de source (Vdss) |
60V |
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C |
5.3A, 3.9A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs |
58 mOhm @ 4.3A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id |
3V @ 250µA |
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs |
20nC @ 10V |
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds |
665pF @ 15V |
Puissance - Max |
3.1W, 3.4W |
Température de fonctionnement |
-55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage |
Surface Mount |
Paquet / cas |
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Package de périphérique fournisseur |
8-SO |
Poids |
- |
Pays d'origine |
- |
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