SI4559ADY-T1-E3 detaillierte Beschreibung
Artikelnummer |
SI4559ADY-T1-E3 |
Teilstatus |
Active |
FET Typ |
N and P-Channel |
FET-Eigenschaft |
Logic Level Gate |
Drain auf Source-Spannung (Vdss) |
60V |
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C |
5.3A, 3.9A |
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs |
58 mOhm @ 4.3A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id |
3V @ 250µA |
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs |
20nC @ 10V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds |
665pF @ 15V |
Leistung max |
3.1W, 3.4W |
Betriebstemperatur |
-55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart |
Surface Mount |
Paket / Fall |
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Lieferantengerätepaket |
8-SO |
Gewicht |
- |
Ursprungsland |
- |
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