| Numéro d'article | SI4413DDY-T1-GE3 |
|---|---|
| État de la pièce | Active |
| FET Type | P-Channel |
| La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain à la tension de source (Vdss) | - |
| Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C | - |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.5 mOhm @ 10A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.6V @ 250µA |
| Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 114nC @ 10V |
| Vgs (Max) | - |
| Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 4780pF @ 15V |
| FET Caractéristique | - |
| Dissipation de puissance (Max) | - |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 125°C |
| Type de montage | Surface Mount |
| Package de périphérique fournisseur | 8-SOIC |
| Paquet / cas | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Poids | - |
| Pays d'origine | - |
| Image | Numéro d'article | Les fabricants | La description | Vue |
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