| Número de pieza | SI4413DDY-T1-GE3 |
|---|---|
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo de FET | P-Channel |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drene a la fuente de voltaje (Vdss) | - |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | - |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.5 mOhm @ 10A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.6V @ 250µA |
| Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 114nC @ 10V |
| Vgs (Max) | - |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 4780pF @ 15V |
| Característica FET | - |
| Disipación de potencia (Máx) | - |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 125°C |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete de dispositivo del proveedor | 8-SOIC |
| Paquete / caja | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Peso | - |
| País de origen | - |
| Imagen | Número de pieza | Fabricantes | Descripción | Ver |
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