| Numéro d'article | SI4122DY-T1-GE3 |
|---|---|
| État de la pièce | Active |
| FET Type | N-Channel |
| La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain à la tension de source (Vdss) | 40V |
| Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C | 27.2A (Tc) |
| Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
| Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 95nC @ 10V |
| Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 4200pF @ 20V |
| Vgs (Max) | ±25V |
| FET Caractéristique | - |
| Dissipation de puissance (Max) | 3W (Ta), 6W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.5 mOhm @ 15A, 10V |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage | Surface Mount |
| Package de périphérique fournisseur | 8-SO |
| Paquet / cas | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Poids | - |
| Pays d'origine | - |
| Image | Numéro d'article | Les fabricants | La description | Vue |
|---|---|---|---|---|
 |
Si4122 | EXSHINE | DUAL-BAND RF SYNTHESIZER WITH INTEGRATED VCOS FOR WIRELESS COMMUNICATIONS | Détails |
|
Si4122-BM | EXSHINE | DUAL-BAND RF SYNTHESIZER WITH INTEGRATED VCOS FOR WIRELESS COMMUNICATIONS | Détails |
 |
SI4122-BT | Silicon Labs | IC SYNTHESIZER RF2/IF 24TSSOP | Détails |
|
SI4122-BTR | Silicon | SI4122-BTR Silicon TSSOP-.. New Original Stocks | Détails |
 |
SI4122-D-GM | Silicon Labs | IC SYNTH RF2/IF SNGL-BAND 28MLP | Détails |
|
SI4122-D-GMR | Silicon Labs | IC SYNTH RF2/IF SNGL-BAND 28MLP | Détails |
|
SI4122-D-GT | Silicon Labs | IC SYNTHESIZER RF2/IF 24TSSOP | Détails |
|
SI4122-D-GTR | Silicon Labs | IC SYNTHESIZER RF2/IF 24TSSOP | Détails |
 |
SI4122-EVB | Silicon Labs | BOARD EVALUATION FOR SI4122 | Détails |
|
SI4122DY-T1-E3 | VISHAY | SI4122DY-T1-E3 VISHAY SOP-8 New Original Stocks | Détails |
