SI3905DV-T1-GE3 Description détaillée
Numéro d'article |
SI3905DV-T1-GE3 |
État de la pièce |
Obsolete |
FET Type |
2 P-Channel (Dual) |
FET Caractéristique |
Logic Level Gate |
Drain à la tension de source (Vdss) |
8V |
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C |
- |
Rds On (Max) @ Id, Vgs |
125 mOhm @ 2.5A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id |
450mV @ 250µA (Min) |
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs |
6nC @ 4.5V |
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds |
- |
Puissance - Max |
1.15W |
Température de fonctionnement |
-55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage |
Surface Mount |
Paquet / cas |
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
Package de périphérique fournisseur |
6-TSOP |
Poids |
- |
Pays d'origine |
- |
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