SI3905DV-T1-GE3 detaillierte Beschreibung
Artikelnummer |
SI3905DV-T1-GE3 |
Teilstatus |
Obsolete |
FET Typ |
2 P-Channel (Dual) |
FET-Eigenschaft |
Logic Level Gate |
Drain auf Source-Spannung (Vdss) |
8V |
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C |
- |
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs |
125 mOhm @ 2.5A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id |
450mV @ 250µA (Min) |
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs |
6nC @ 4.5V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds |
- |
Leistung max |
1.15W |
Betriebstemperatur |
-55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart |
Surface Mount |
Paket / Fall |
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
Lieferantengerätepaket |
6-TSOP |
Gewicht |
- |
Ursprungsland |
- |
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