SI3552DV-T1-GE3 - Vishay Siliconix

Numéro d'article	SI3552DV-T1-GE3
État de la pièce	Active
FET Type	N and P-Channel
FET Caractéristique	Logic Level Gate
Drain à la tension de source (Vdss)	30V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C	-
Rds On (Max) @ Id, Vgs	105 mOhm @ 2.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	1V @ 250µA (Min)
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	3.2nC @ 5V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	-
Puissance - Max	1.15W
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Paquet / cas	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Package de périphérique fournisseur	6-TSOP
Poids	-
Pays d'origine	-

Numéro d'article	Les fabricants	La description	Vue
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