SI3552DV-T1-GE3 - Vishay Siliconix

Número de pieza: SI3552DV-T1-GE3
Fabricante: Vishay Siliconix
Breve descripción: MOSFET N/P-CH 30V 6-TSOP
Estado sin plomo / Estado RoHS: Sin plomo / Cumple con RoHS
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Categoría: Transistores - FET, MOSFET - Arreglos
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Código de fecha: New
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Precio de referencia: USD 0.335/pcs
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Número de pieza	SI3552DV-T1-GE3
Estado de la pieza	Active
Tipo de FET	N and P-Channel
Característica FET	Logic Level Gate
Drene a la fuente de voltaje (Vdss)	30V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	-
Rds On (Max) @ Id, Vgs	105 mOhm @ 2.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	1V @ 250µA (Min)
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs	3.2nC @ 5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	-
Potencia - Max	1.15W
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete / caja	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Paquete de dispositivo del proveedor	6-TSOP
Peso	-
País de origen	-

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