IRLD110PBF Description détaillée
| Numéro d'article |
IRLD110PBF |
| État de la pièce |
Active |
| FET Type |
N-Channel |
| La technologie |
MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain à la tension de source (Vdss) |
100V |
| Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C |
1A (Ta) |
| Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On) |
4V, 5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id |
2V @ 250µA |
| Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs |
6.1nC @ 5V |
| Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds |
250pF @ 25V |
| Vgs (Max) |
±10V |
| FET Caractéristique |
- |
| Dissipation de puissance (Max) |
1.3W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs |
540 mOhm @ 600mA, 5V |
| Température de fonctionnement |
-55°C ~ 175°C (TJ) |
| Type de montage |
Through Hole |
| Package de périphérique fournisseur |
4-DIP, Hexdip, HVMDIP |
| Paquet / cas |
4-DIP (0.300", 7.62mm) |
| Poids |
- |
| Pays d'origine |
- |
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