IRLD024PBF Description détaillée
Numéro d'article |
IRLD024PBF |
État de la pièce |
Active |
FET Type |
N-Channel |
La technologie |
MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension de source (Vdss) |
60V |
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C |
2.5A (Ta) |
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On) |
4V, 5V |
Vgs (th) (Max) @ Id |
2V @ 250µA |
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs |
18nC @ 5V |
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds |
870pF @ 25V |
Vgs (Max) |
±10V |
FET Caractéristique |
- |
Dissipation de puissance (Max) |
1.3W (Ta) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs |
100 mOhm @ 1.5A, 5V |
Température de fonctionnement |
-55°C ~ 175°C (TJ) |
Type de montage |
Through Hole |
Package de périphérique fournisseur |
4-DIP, Hexdip, HVMDIP |
Paquet / cas |
4-DIP (0.300", 7.62mm) |
Poids |
- |
Pays d'origine |
- |
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