IRF630SPBF

IRF630SPBF - Vishay Siliconix

Numéro d'article
IRF630SPBF
Fabricant
Vishay Siliconix
Brève description
MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique vue en ligne
IRF630SPBF Navigation PDF en ligne
Fiche technique PDF Download
-
Catégorie
Transistors - FET, MOSFET - Simples
Heure de livraison
1 Day
Code de date
New
Quantité en stock
1710 pcs
Prix ​​de référence
USD 1.78/pcs
Notre prix
Envoyer par email: [email protected]

Veuillez remplir le formulaire ci-dessous pour demander un devis pour IRF630SPBF

IRF630SPBF Description détaillée

Numéro d'article IRF630SPBF
État de la pièce Active
FET Type N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss) 200V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 9A (Tc)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 43nC @ 10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 800pF @ 25V
Vgs (Max) ±20V
FET Caractéristique -
Dissipation de puissance (Max) 3W (Ta), 74W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 400 mOhm @ 5.4A, 10V
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Package de périphérique fournisseur D²PAK (TO-263)
Paquet / cas TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Poids -
Pays d'origine -

PRODUITS CONNEXES POUR IRF630SPBF