EGF1BHE3_A/H

EGF1BHE3_A/H - Vishay Semiconductor Diodes Division

Numéro d'article
EGF1BHE3_A/H
Fabricant
Vishay Semiconductor Diodes Division
Brève description
DIODE GEN PURP 100V 1A DO214BA
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
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Catégorie
Diodes - Redresseurs - Simples
Heure de livraison
1 Day
Code de date
New
Quantité en stock
811085 pcs
Prix ​​de référence
USD 0.203/pcs
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EGF1BHE3_A/H Description détaillée

Numéro d'article EGF1BHE3_A/H
État de la pièce Active
Type de diode Standard
Tension - DC Reverse (Vr) (Max) 100V
Courant - Rectifié moyen (Io) 1A
Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si 1V @ 1A
La vitesse Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Temps de récupération inverse (trr) 50ns
Courant - Fuite inverse @ Vr 1µA @ 100V
Capacitance @ Vr, F 15pF @ 4V, 1MHz
Type de montage Surface Mount
Paquet / cas DO-214BA
Package de périphérique fournisseur DO-214BA (GF1)
Température de fonctionnement - Jonction -65°C ~ 175°C
Poids -
Pays d'origine -

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