EGF1BHE3_A/H - Vishay Semiconductor Diodes Division

Artikelnummer	EGF1BHE3_A/H
Teilstatus	Active
Dioden-Typ	Standard
Spannung - DC Reverse (Vr) (Max)	100V
Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io)	1A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If	1V @ 1A
Geschwindigkeit	Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Wiederherstellungszeit (trr)	50ns
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr	1µA @ 100V
Kapazität @ Vr, F	15pF @ 4V, 1MHz
Befestigungsart	Surface Mount
Paket / Fall	DO-214BA
Lieferantengerätepaket	DO-214BA (GF1)
Betriebstemperatur - Kreuzung	-65°C ~ 175°C
Gewicht	-
Ursprungsland	-

Artikelnummer	Hersteller	Beschreibung	Aussicht
EGF10A	ZOWIE	SURFACE MOUNT GLASS PASSIVATED JUNCTION HIGH EFFICIENT RECTIFIER	Einzelheiten
EGF10B	ZOWIE	SURFACE MOUNT GLASS PASSIVATED JUNCTION HIGH EFFICIENT RECTIFIER	Einzelheiten
EGF10D	ZOWIE	SURFACE MOUNT GLASS PASSIVATED JUNCTION HIGH EFFICIENT RECTIFIER	Einzelheiten
EGF10F	ZOWIE	SURFACE MOUNT GLASS PASSIVATED JUNCTION HIGH EFFICIENT RECTIFIER	Einzelheiten
EGF10G	ZOWIE	SURFACE MOUNT GLASS PASSIVATED JUNCTION HIGH EFFICIENT RECTIFIER	Einzelheiten
EGF10J	ZOWIE	SURFACE MOUNT GLASS PASSIVATED JUNCTION HIGH EFFICIENT RECTIFIER	Einzelheiten
EGF10K	ZOWIE	SURFACE MOUNT GLASS PASSIVATED JUNCTION HIGH EFFICIENT RECTIFIER	Einzelheiten
EGF10M	ZOWIE	SURFACE MOUNT GLASS PASSIVATED JUNCTION HIGH EFFICIENT RECTIFIER	Einzelheiten
EGF15A	ZOWIE	SURFACE MOUNT GLASS PASSIVATED JUNCTION HIGH EFFICIENT RECTIFIER	Einzelheiten
EGF15B	ZOWIE	SURFACE MOUNT GLASS PASSIVATED JUNCTION HIGH EFFICIENT RECTIFIER	Einzelheiten