TPN22006NH,LQ - Toshiba Semiconductor and Storage

Numéro d'article	TPN22006NH,LQ
État de la pièce	Active
FET Type	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss)	60V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C	9A (Ta)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On)	6.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 100µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	12nC @ 10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	710pF @ 30V
Vgs (Max)	±20V
FET Caractéristique	-
Dissipation de puissance (Max)	700mW (Ta), 18W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	22 mOhm @ 4.5A, 10V
Température de fonctionnement	150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package de périphérique fournisseur	8-TSON Advance (3.3x3.3)
Paquet / cas	8-PowerVDFN
Poids	-
Pays d'origine	-