TPN22006NH,LQ - Toshiba Semiconductor and Storage

Artikelnummer	TPN22006NH,LQ
Teilstatus	Active
FET Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss)	60V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C	9A (Ta)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein)	6.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 100µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	12nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	710pF @ 30V
Vgs (Max)	±20V
FET-Eigenschaft	-
Verlustleistung (Max)	700mW (Ta), 18W (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs	22 mOhm @ 4.5A, 10V
Betriebstemperatur	150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Lieferantengerätepaket	8-TSON Advance (3.3x3.3)
Paket / Fall	8-PowerVDFN
Gewicht	-
Ursprungsland	-