TPCC8A01-H(TE12LQM - Toshiba Semiconductor and Storage

Numéro d'article	TPCC8A01-H(TE12LQM
État de la pièce	Obsolete
FET Type	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss)	30V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C	21A (Ta)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.3V @ 1mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	20nC @ 10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	1900pF @ 10V
Vgs (Max)	±20V
FET Caractéristique	-
Dissipation de puissance (Max)	700mW (Ta), 30W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	9.9 mOhm @ 10.5A, 10V
Température de fonctionnement	150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package de périphérique fournisseur	8-TSON
Paquet / cas	8-VDFN Exposed Pad
Poids	-
Pays d'origine	-

Image	Numéro d'article	Les fabricants	La description	Vue
	TPCC8A01-H	TOSHIBA	TPCC8A01-H TOSHIBA MLP-8 New Original Stocks	Détails
	TPCC8A01-H(TE12LQM	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET N-CH 30V 21A SBD 8TSON	Détails