TPCC8A01-H(TE12LQM - Toshiba Semiconductor and Storage

Número de pieza: TPCC8A01-H(TE12LQM
Fabricante: Toshiba Semiconductor and Storage
Breve descripción: MOSFET N-CH 30V 21A SBD 8TSON
Estado sin plomo / Estado RoHS: Sin plomo / Cumple con RoHS
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Categoría: Transistores - FET, MOSFET - Simple
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Número de pieza	TPCC8A01-H(TE12LQM
Estado de la pieza	Obsolete
Tipo de FET	N-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss)	30V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	21A (Ta)
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados)	4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.3V @ 1mA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs	20nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	1900pF @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Característica FET	-
Disipación de potencia (Máx)	700mW (Ta), 30W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	9.9 mOhm @ 10.5A, 10V
Temperatura de funcionamiento	150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor	8-TSON
Paquete / caja	8-VDFN Exposed Pad
Peso	-
País de origen	-

Imagen	Número de pieza	Fabricantes	Descripción	Ver
	TPCC8A01-H	TOSHIBA	TPCC8A01-H TOSHIBA MLP-8 New Original Stocks	Detalles
	TPCC8A01-H(TE12LQM	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET N-CH 30V 21A SBD 8TSON	Detalles