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Accueil › catégories de produits › Produits à semiconducteurs discrets › Transistors - FET, MOSFET - Simples › TPCA8010-H(TE12L,Q
TPCA8010-H(TE12L,Q

TPCA8010-H(TE12L,Q - Toshiba Semiconductor and Storage

Numéro d'article
TPCA8010-H(TE12L,Q
Fabricant
Toshiba Semiconductor and Storage
Brève description
MOSFET N-CH 200V 5.5A 8-SOPA
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique vue en ligne
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Fiche technique PDF Download
TPCA8010-H(TE12L,Q.pdf
Catégorie
Transistors - FET, MOSFET - Simples
Heure de livraison
1 Day
Code de date
New
Quantité en stock
4039 pcs
Prix ​​de référence
USD 0/pcs
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TPCA8010-H(TE12L,Q Description détaillée

Numéro d'article TPCA8010-H(TE12L,Q
État de la pièce Obsolete
FET Type N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss) 200V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 5.5A (Ta)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 1mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 10nC @ 10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 600pF @ 10V
Vgs (Max) ±20V
FET Caractéristique -
Dissipation de puissance (Max) 1.6W (Ta), 45W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 450 mOhm @ 2.7A, 10V
Température de fonctionnement 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Package de périphérique fournisseur 8-SOP Advance (5x5)
Paquet / cas 8-PowerVDFN
Poids -
Pays d'origine -

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