TPCA8010-H(TE12L,Q

TPCA8010-H(TE12L,Q - Toshiba Semiconductor and Storage

Artikelnummer
TPCA8010-H(TE12L,Q
Hersteller
Toshiba Semiconductor and Storage
Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 200V 5.5A 8-SOPA
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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Kategorie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
4073 pcs
Referenzpreis
USD 0/pcs
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TPCA8010-H(TE12L,Q detaillierte Beschreibung

Artikelnummer TPCA8010-H(TE12L,Q
Teilstatus Obsolete
FET Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 200V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 5.5A (Ta)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 1mA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 10nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 600pF @ 10V
Vgs (Max) ±20V
FET-Eigenschaft -
Verlustleistung (Max) 1.6W (Ta), 45W (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 450 mOhm @ 2.7A, 10V
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Lieferantengerätepaket 8-SOP Advance (5x5)
Paket / Fall 8-PowerVDFN
Gewicht -
Ursprungsland -

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