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Accueil › catégories de produits › Produits à semiconducteurs discrets › Transistors - FET, MOSFET - Simples › TPC8111(TE12L,Q,M)
TPC8111(TE12L,Q,M)

TPC8111(TE12L,Q,M) - Toshiba Semiconductor and Storage

Numéro d'article
TPC8111(TE12L,Q,M)
Fabricant
Toshiba Semiconductor and Storage
Brève description
MOSFET P-CH 30V 11A SOP8 2-6J1B
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique vue en ligne
TPC8111(TE12L,Q,M) Navigation PDF en ligne
Fiche technique PDF Download
TPC8111(TE12L,Q,M).pdf
Catégorie
Transistors - FET, MOSFET - Simples
Heure de livraison
1 Day
Code de date
New
Quantité en stock
4096 pcs
Prix ​​de référence
USD 0/pcs
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TPC8111(TE12L,Q,M) Description détaillée

Numéro d'article TPC8111(TE12L,Q,M)
État de la pièce Obsolete
FET Type P-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss) 30V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 11A (Ta)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 1mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 107nC @ 10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 5710pF @ 10V
Vgs (Max) ±20V
FET Caractéristique -
Dissipation de puissance (Max) 1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 12 mOhm @ 5.5A, 10V
Température de fonctionnement 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Package de périphérique fournisseur 8-SOP (5.5x6.0)
Paquet / cas 8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
Poids -
Pays d'origine -

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