TPC8111(TE12L,Q,M)

TPC8111(TE12L,Q,M) - Toshiba Semiconductor and Storage

Número de pieza
TPC8111(TE12L,Q,M)
Fabricante
Toshiba Semiconductor and Storage
Breve descripción
MOSFET P-CH 30V 11A SOP8 2-6J1B
Estado sin plomo / Estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
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Categoría
Transistores - FET, MOSFET - Simple
El tiempo de entrega
1 Day
Código de fecha
New
Cantidad de stock
3560 pcs
Precio de referencia
USD 0/pcs
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TPC8111(TE12L,Q,M) Descripción detallada

Número de pieza TPC8111(TE12L,Q,M)
Estado de la pieza Obsolete
Tipo de FET P-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss) 30V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 11A (Ta)
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) 4V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 1mA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs 107nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds 5710pF @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Característica FET -
Disipación de potencia (Máx) 1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 12 mOhm @ 5.5A, 10V
Temperatura de funcionamiento 150°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor 8-SOP (5.5x6.0)
Paquete / caja 8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
Peso -
País de origen -

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