TPC8111(TE12L,Q,M) Descripción detallada
Número de pieza |
TPC8111(TE12L,Q,M) |
Estado de la pieza |
Obsolete |
Tipo de FET |
P-Channel |
Tecnología |
MOSFET (Metal Oxide) |
Drene a la fuente de voltaje (Vdss) |
30V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C |
11A (Ta) |
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) |
4V, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id |
2V @ 1mA |
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs |
107nC @ 10V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds |
5710pF @ 10V |
Vgs (Max) |
±20V |
Característica FET |
- |
Disipación de potencia (Máx) |
1W (Ta) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs |
12 mOhm @ 5.5A, 10V |
Temperatura de funcionamiento |
150°C (TJ) |
Tipo de montaje |
Surface Mount |
Paquete de dispositivo del proveedor |
8-SOP (5.5x6.0) |
Paquete / caja |
8-SOIC (0.173", 4.40mm Width) |
Peso |
- |
País de origen |
- |
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