TPC6012(TE85L,F,M)

TPC6012(TE85L,F,M) - Toshiba Semiconductor and Storage

Numéro d'article
TPC6012(TE85L,F,M)
Fabricant
Toshiba Semiconductor and Storage
Brève description
MOSFET N-CH 20V 6A VS6
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
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Catégorie
Transistors - FET, MOSFET - Simples
Heure de livraison
1 Day
Code de date
New
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3757 pcs
Prix ​​de référence
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TPC6012(TE85L,F,M) Description détaillée

Numéro d'article TPC6012(TE85L,F,M)
État de la pièce Active
FET Type N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss) 20V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 6A (Ta)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 1.2V @ 200µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 9nC @ 5V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 630pF @ 10V
Vgs (Max) ±12V
FET Caractéristique -
Dissipation de puissance (Max) 700mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 20 mOhm @ 3A, 4.5V
Température de fonctionnement 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Package de périphérique fournisseur VS-6 (2.9x2.8)
Paquet / cas SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Poids -
Pays d'origine -

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