TPC6012(TE85L,F,M) - Toshiba Semiconductor and Storage

Numéro d'article	TPC6012(TE85L,F,M)
État de la pièce	Active
FET Type	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss)	20V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C	6A (Ta)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On)	2.5V, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	1.2V @ 200µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	9nC @ 5V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	630pF @ 10V
Vgs (Max)	±12V
FET Caractéristique	-
Dissipation de puissance (Max)	700mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	20 mOhm @ 3A, 4.5V
Température de fonctionnement	150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package de périphérique fournisseur	VS-6 (2.9x2.8)
Paquet / cas	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Poids	-
Pays d'origine	-

Numéro d'article	Les fabricants	La description	Vue
TPC6010-H(TE85L,FM	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET N-CH 60V 6.1A VS6	Détails
TPC6011	TOS	TPC6011 TOS TSOP6 New Original Stocks	Détails
TPC6011(TE85L,F,M)	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET N-CH 30V 6A VS6	Détails
TPC6012	TOS	TPC6012 TOS SOT-26 New Original Stocks	Détails
TPC6012(TE85L,F,M)	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET N-CH 20V 6A VS6	Détails