TK8S06K3L(T6L1,NQ) - Toshiba Semiconductor and Storage

Numéro d'article	TK8S06K3L(T6L1,NQ)
État de la pièce	Active
FET Type	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss)	60V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C	8A (Ta)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On)	6V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3V @ 1mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	10nC @ 10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	400pF @ 10V
Vgs (Max)	±20V
FET Caractéristique	-
Dissipation de puissance (Max)	25W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	54 mOhm @ 4A, 10V
Température de fonctionnement	175°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package de périphérique fournisseur	DPAK+
Paquet / cas	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Poids	-
Pays d'origine	-