TK8S06K3L(T6L1,NQ)

TK8S06K3L(T6L1,NQ) - Toshiba Semiconductor and Storage

Artikelnummer
TK8S06K3L(T6L1,NQ)
Hersteller
Toshiba Semiconductor and Storage
Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 60V 8A DPAK-3
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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Kategorie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
51461 pcs
Referenzpreis
USD 0.5082/pcs
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TK8S06K3L(T6L1,NQ) detaillierte Beschreibung

Artikelnummer TK8S06K3L(T6L1,NQ)
Teilstatus Active
FET Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 60V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 8A (Ta)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) 6V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 1mA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 10nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 400pF @ 10V
Vgs (Max) ±20V
FET-Eigenschaft -
Verlustleistung (Max) 25W (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 54 mOhm @ 4A, 10V
Betriebstemperatur 175°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Lieferantengerätepaket DPAK+
Paket / Fall TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Gewicht -
Ursprungsland -

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