France
- English
- Deutschl
- Italia
- France
- España
- 대한민국
- 日本语
- русский

TK35E10K3(S1SS-Q)

TK35E10K3(S1SS-Q) - Toshiba Semiconductor and Storage

Numéro d'article: TK35E10K3(S1SS-Q)
Fabricant: Toshiba Semiconductor and Storage
Brève description: MOSFET N-CH 100V 35A TO-220AB
Statut sans plomb / Statut RoHS: Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique vue en ligne: TK35E10K3(S1SS-Q) Navigation PDF en ligne
Fiche technique PDF Download: -
Catégorie: Transistors - FET, MOSFET - Simples
Heure de livraison: 1 Day
Code de date: New
Quantité en stock: 18068 pcs
Prix de référence: USD 1.4492/pcs
Notre prix: Envoyer par email: [email protected]

TK35E10K3(S1SS-Q) Description détaillée

Numéro d'article	TK35E10K3(S1SS-Q)
État de la pièce	Active
FET Type	-
La technologie	-
Drain à la tension de source (Vdss)	-
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C	-
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On)	-
Vgs (th) (Max) @ Id	-
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	-
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	-
Vgs (Max)	-
FET Caractéristique	-
Dissipation de puissance (Max)	-
Rds On (Max) @ Id, Vgs	-
Température de fonctionnement	-
Type de montage	Through Hole
Package de périphérique fournisseur	TO-220
Paquet / cas	TO-220-3
Poids	-
Pays d'origine	-

PRODUITS CONNEXES POUR TK35E10K3(S1SS-Q)