TK35E10K3(S1SS-Q)

TK35E10K3(S1SS-Q) - Toshiba Semiconductor and Storage

Numéro d'article
TK35E10K3(S1SS-Q)
Fabricant
Toshiba Semiconductor and Storage
Brève description
MOSFET N-CH 100V 35A TO-220AB
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique vue en ligne
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Catégorie
Transistors - FET, MOSFET - Simples
Heure de livraison
1 Day
Code de date
New
Quantité en stock
18020 pcs
Prix ​​de référence
USD 1.4492/pcs
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TK35E10K3(S1SS-Q) Description détaillée

Numéro d'article TK35E10K3(S1SS-Q)
État de la pièce Active
FET Type -
La technologie -
Drain à la tension de source (Vdss) -
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C -
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On) -
Vgs (th) (Max) @ Id -
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs -
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds -
Vgs (Max) -
FET Caractéristique -
Dissipation de puissance (Max) -
Rds On (Max) @ Id, Vgs -
Température de fonctionnement -
Type de montage Through Hole
Package de périphérique fournisseur TO-220
Paquet / cas TO-220-3
Poids -
Pays d'origine -

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