TK35E10K3(S1SS-Q) - Toshiba Semiconductor and Storage

Número de pieza: TK35E10K3(S1SS-Q)
Fabricante: Toshiba Semiconductor and Storage
Breve descripción: MOSFET N-CH 100V 35A TO-220AB
Estado sin plomo / Estado RoHS: Sin plomo / Cumple con RoHS
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Categoría: Transistores - FET, MOSFET - Simple
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Código de fecha: New
Cantidad de stock: 18767 pcs
Precio de referencia: USD 1.4492/pcs
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Número de pieza	TK35E10K3(S1SS-Q)
Estado de la pieza	Active
Tipo de FET	-
Tecnología	-
Drene a la fuente de voltaje (Vdss)	-
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	-
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados)	-
Vgs (th) (Max) @ Id	-
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs	-
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	-
Vgs (Max)	-
Característica FET	-
Disipación de potencia (Máx)	-
Rds On (Max) @ Id, Vgs	-
Temperatura de funcionamiento	-
Tipo de montaje	Through Hole
Paquete de dispositivo del proveedor	TO-220
Paquete / caja	TO-220-3
Peso	-
País de origen	-