SSM6N35AFE,LF

SSM6N35AFE,LF - Toshiba Semiconductor and Storage

Numéro d'article
SSM6N35AFE,LF
Fabricant
Toshiba Semiconductor and Storage
Brève description
MOSFET 2 N-CHANNEL 20V 250MA ES6
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
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Catégorie
Transistors - FET, MOSFET - Matrices
Heure de livraison
1 Day
Code de date
New
Quantité en stock
2352147 pcs
Prix ​​de référence
USD 0.07/pcs
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SSM6N35AFE,LF Description détaillée

Numéro d'article SSM6N35AFE,LF
État de la pièce Active
FET Type 2 N-Channel (Dual)
FET Caractéristique Logic Level Gate, 1.2V Drive
Drain à la tension de source (Vdss) 20V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 250mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.1 Ohm @ 150mA, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 100µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 0.34nC @ 4.5V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 36pF @ 10V
Puissance - Max 250mW
Température de fonctionnement 150°C
Type de montage Surface Mount
Paquet / cas SOT-563, SOT-666
Package de périphérique fournisseur ES6
Poids -
Pays d'origine -

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