SSM3J306T(TE85L,F) - Toshiba Semiconductor and Storage

Numéro d'article	SSM3J306T(TE85L,F)
État de la pièce	Active
FET Type	P-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss)	30V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C	2.4A (Ta)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On)	4V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	-
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	2.5nC @ 15V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	280pF @ 15V
Vgs (Max)	±20V
FET Caractéristique	-
Dissipation de puissance (Max)	700mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	117 mOhm @ 1A, 10V
Température de fonctionnement	150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package de périphérique fournisseur	TSM
Paquet / cas	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Poids	-
Pays d'origine	-

Numéro d'article	Les fabricants	La description	Vue
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