SSM3J168F,LF - Toshiba Semiconductor and Storage

Numéro d'article	SSM3J168F,LF
État de la pièce	Active
FET Type	P-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss)	60V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C	400mA (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.9 Ohm @ 100mA, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	2V @ 1mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	3nC @ 10V
Vgs (Max)	+20V, -16V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	82pF @ 10V
FET Caractéristique	-
Dissipation de puissance (Max)	1.2W (Ta)
Température de fonctionnement	150°C
Type de montage	Surface Mount
Package de périphérique fournisseur	S-Mini
Paquet / cas	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Poids	-
Pays d'origine	-

Numéro d'article	Les fabricants	La description	Vue
SSM3055	SECOS	N-Channel Enhancement Mode Power Mos.FET	Détails
SSM3302ACPZ	Analog Devices Inc.	IC AMP AUDIO 20W STER D 40LFCSP	Détails
SSM3302ACPZ-R7	Analog Devices Inc.	IC AUDIO AMP STEREO 40LFCSP	Détails
SSM3302ACPZ-RL	Analog Devices Inc.	IC AMP AUDIO 20W STER D 40LFCSP	Détails
SSM3310GH	SSC	P-channel Enhancement-mode Power MOSFET	Détails
SSM3310GJ	SSC	P-channel Enhancement-mode Power MOSFET	Détails
SSM34	TC	SSM34 TC SMA New Original Stocks	Détails
SSM34PT	CHENMKO	SSM34PT CHENMKO SMA New Original Stocks	Détails
SSM3515CCBZ-R7	Analog Devices Inc.	IC AMP CLASS D AUDIO 20WLSCP	Détails
SSM3515CCBZ-RL	Analog Devices Inc.	IC AMP CLASS D AUDIO 20WLSCP	Détails