SSM3J168F,LF detaillierte Beschreibung
Artikelnummer |
SSM3J168F,LF |
Teilstatus |
Active |
FET Typ |
P-Channel |
Technologie |
MOSFET (Metal Oxide) |
Drain auf Source-Spannung (Vdss) |
60V |
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C |
400mA (Ta) |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) |
4V, 10V |
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs |
1.9 Ohm @ 100mA, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id |
2V @ 1mA |
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs |
3nC @ 10V |
Vgs (Max) |
+20V, -16V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds |
82pF @ 10V |
FET-Eigenschaft |
- |
Verlustleistung (Max) |
1.2W (Ta) |
Betriebstemperatur |
150°C |
Befestigungsart |
Surface Mount |
Lieferantengerätepaket |
S-Mini |
Paket / Fall |
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Gewicht |
- |
Ursprungsland |
- |
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