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Accueil › catégories de produits › Produits à semiconducteurs discrets › Transistors - Bipolaires (BJT) - Simples, prépolarisés › RN2117MFV,L3F
RN2117MFV,L3F

RN2117MFV,L3F - Toshiba Semiconductor and Storage

Numéro d'article
RN2117MFV,L3F
Fabricant
Toshiba Semiconductor and Storage
Brève description
X34 PB-F VESM TRANSISTOR PD 150M
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique vue en ligne
RN2117MFV,L3F Navigation PDF en ligne
Fiche technique PDF Download
-
Catégorie
Transistors - Bipolaires (BJT) - Simples, prépolarisés
Heure de livraison
1 Day
Code de date
New
Quantité en stock
5226997 pcs
Prix ​​de référence
USD 0.0315/pcs
Notre prix
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RN2117MFV,L3F Description détaillée

Numéro d'article RN2117MFV,L3F
État de la pièce Active
Type de transistor PNP - Pre-Biased
Courant - Collecteur (Ic) (Max) 100mA
Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max) 50V
Resistor - Base (R1) 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2) 4.7 kOhms
Gain de courant CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 30 @ 10mA, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 500µA, 5mA
Courant - Coupure du collecteur (Max) 500nA
Fréquence - Transition -
Puissance - Max 150mW
Type de montage Surface Mount
Paquet / cas SOT-723
Package de périphérique fournisseur VESM
Poids -
Pays d'origine -

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