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Accueil › catégories de produits › Produits à semiconducteurs discrets › Transistors - Bipolaires (BJT) - Simples, prépolarisés › RN2111ACT(TPL3)
RN2111ACT(TPL3)

RN2111ACT(TPL3) - Toshiba Semiconductor and Storage

Numéro d'article
RN2111ACT(TPL3)
Fabricant
Toshiba Semiconductor and Storage
Brève description
TRANS PREBIAS PNP 0.1W CST3
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique vue en ligne
RN2111ACT(TPL3) Navigation PDF en ligne
Fiche technique PDF Download
-
Catégorie
Transistors - Bipolaires (BJT) - Simples, prépolarisés
Heure de livraison
1 Day
Code de date
New
Quantité en stock
25000 pcs
Prix ​​de référence
USD 0.0521/pcs
Notre prix
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RN2111ACT(TPL3) Description détaillée

Numéro d'article RN2111ACT(TPL3)
État de la pièce Active
Type de transistor PNP - Pre-Biased
Courant - Collecteur (Ic) (Max) 80mA
Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max) 50V
Résistance - Base (R1) (Ohms) 10k
Résistance - Base de l'émetteur (R2) (Ohms) -
Gain de courant CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 120 @ 1mA, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 150mV @ 250µA, 5mA
Courant - Coupure du collecteur (Max) 100nA (ICBO)
Fréquence - Transition -
Puissance - Max 100mW
Type de montage Surface Mount
Paquet / cas SC-101, SOT-883
Package de périphérique fournisseur CST3
Poids -
Pays d'origine -

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