RN1103MFV,L3F

RN1103MFV,L3F - Toshiba Semiconductor and Storage

Numéro d'article
RN1103MFV,L3F
Fabricant
Toshiba Semiconductor and Storage
Brève description
TRANS PREBIAS NPN 150MW VESM
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
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Catégorie
Transistors - Bipolaires (BJT) - Simples, prépolarisés
Heure de livraison
1 Day
Code de date
New
Quantité en stock
932586 pcs
Prix ​​de référence
USD 0.029/pcs
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RN1103MFV,L3F Description détaillée

Numéro d'article RN1103MFV,L3F
État de la pièce Active
Type de transistor NPN - Pre-Biased
Courant - Collecteur (Ic) (Max) 100mA
Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max) 50V
Résistance - Base (R1) (Ohms) 22k
Résistance - Base de l'émetteur (R2) (Ohms) 22k
Gain de courant CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 70 @ 10mA, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 500µA, 5mA
Courant - Coupure du collecteur (Max) 500nA
Fréquence - Transition -
Puissance - Max 150mW
Type de montage Surface Mount
Paquet / cas SOT-723
Package de périphérique fournisseur VESM
Poids -
Pays d'origine -

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