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Accueil › catégories de produits › Produits à semiconducteurs discrets › Transistors - Bipolaires (BJT) - Simples, prépolarisés › RN1102CT(TPL3)
RN1102CT(TPL3)

RN1102CT(TPL3) - Toshiba Semiconductor and Storage

Numéro d'article
RN1102CT(TPL3)
Fabricant
Toshiba Semiconductor and Storage
Brève description
TRANS PREBIAS NPN 0.05W CST3
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique vue en ligne
RN1102CT(TPL3) Navigation PDF en ligne
Fiche technique PDF Download
RN1102CT(TPL3).pdf
Catégorie
Transistors - Bipolaires (BJT) - Simples, prépolarisés
Heure de livraison
1 Day
Code de date
New
Quantité en stock
3622 pcs
Prix ​​de référence
USD 0/pcs
Notre prix
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RN1102CT(TPL3) Description détaillée

Numéro d'article RN1102CT(TPL3)
État de la pièce Obsolete
Type de transistor NPN - Pre-Biased
Courant - Collecteur (Ic) (Max) 50mA
Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max) 20V
Résistance - Base (R1) (Ohms) 10k
Résistance - Base de l'émetteur (R2) (Ohms) 10k
Gain de courant CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 60 @ 10mA, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 150mV @ 250µA, 5mA
Courant - Coupure du collecteur (Max) 500nA
Fréquence - Transition -
Puissance - Max 50mW
Type de montage Surface Mount
Paquet / cas SC-101, SOT-883
Package de périphérique fournisseur CST3
Poids -
Pays d'origine -

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