HN4B01JE(TE85L,F)

HN4B01JE(TE85L,F) - Toshiba Semiconductor and Storage

Numéro d'article
HN4B01JE(TE85L,F)
Fabricant
Toshiba Semiconductor and Storage
Brève description
TRANS NPN/PNP 50V 0.15A ESV PLN
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique vue en ligne
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Catégorie
Transistors - Bipolaires (BJT) - Matrices
Heure de livraison
1 Day
Code de date
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Quantité en stock
4281 pcs
Prix ​​de référence
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HN4B01JE(TE85L,F) Description détaillée

Numéro d'article HN4B01JE(TE85L,F)
État de la pièce Active
Type de transistor NPN, PNP (Emitter Coupled)
Courant - Collecteur (Ic) (Max) 150mA
Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max) 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 10mA, 100mA
Courant - Coupure du collecteur (Max) 100nA (ICBO)
Gain de courant CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 120 @ 10MA, 100MA
Puissance - Max 100mW
Fréquence - Transition 80MHz
Température de fonctionnement 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Paquet / cas SOT-553
Package de périphérique fournisseur ESV
Poids -
Pays d'origine -

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