DF6D6UFE,L3F - Toshiba Semiconductor and Storage

Numéro d'article	DF6D6UFE,L3F
État de la pièce	Active
Type	Zener
Canaux unidirectionnels	-
Canaux bidirectionnels	2
Tension - Inverser l'écart (Typ)	5.5V (Max)
Tension - Panne (Min)	5.7V
Tension - Serrage (Max) @ Ipp	20V
Courant - Impulsion de crête (10 / 1000μs)	1.5A (8/20µs)
Puissance - Impulsion de crête	30W
Protection de ligne électrique	No
Applications	General Purpose
Capacité @ Fréquence	1.5pF @ 1MHz
Température de fonctionnement	150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Paquet / cas	SOT-563, SOT-666
Package de périphérique fournisseur	ES6
Poids	-
Pays d'origine	-

Numéro d'article	Les fabricants	La description	Vue
DF6D5M4N,LF	Toshiba Semiconductor and Storage	X34 ESD PROTECTION DIODE BI-DIR	Détails
DF6D6M4N,LF	Toshiba Semiconductor and Storage	X34 ESD PROTECTION DIODE BI-DIR	Détails
DF6D6UFE,L3F	Toshiba Semiconductor and Storage	TVS DIODE 5.5V 20V ES6	Détails
DF6D7M1N,LF	Toshiba Semiconductor and Storage	TVS DIODE 5VWM 12VC 6DFN	Détails