• Deutschl
      Language Translation
    • English
    • Deutschl
    • Italia
    • France
    • España
    • 대한민국
    • 日本语
    • русский
Zuhause › Produktkategorien › Überspannung, Überstrom, Temperaturbausteine › TVS - Dioden › DF6D6UFE,L3F
DF6D6UFE,L3F

DF6D6UFE,L3F - Toshiba Semiconductor and Storage

Artikelnummer
DF6D6UFE,L3F
Hersteller
Toshiba Semiconductor and Storage
Kurze Beschreibung
TVS DIODE 5.5V 20V ES6
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt Online-Ansicht
DF6D6UFE,L3F PDF-Online-Browsing
Datenblatt PDF herunterladen
-
Kategorie
TVS - Dioden
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
1590362 pcs
Referenzpreis
USD 0.10353/pcs
Unser Preis
Senden Sie per E-Mail: [email protected]

Bitte füllen Sie das folgende Formular aus, um ein Angebot für anzufordern DF6D6UFE,L3F

DF6D6UFE,L3F detaillierte Beschreibung

Artikelnummer DF6D6UFE,L3F
Teilstatus Active
Art Zener
Unidirektionale Kanäle -
Bidirektionale Kanäle 2
Spannung - Reverse Standoff (Typ) 5.5V (Max)
Spannung - Ausfall (Min.) 5.7V
Spannung - Spannung (Max) @ Ipp 20V
Strom - Spitzenpuls (10 / 1000μs) 1.5A (8/20µs)
Leistung - Spitzenpuls 30W
Stromleitungsschutz No
Anwendungen General Purpose
Kapazität @ Frequenz 1.5pF @ 1MHz
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Paket / Fall SOT-563, SOT-666
Lieferantengerätepaket ES6
Gewicht -
Ursprungsland -

VERWANDTE PRODUKTE FÜR DF6D6UFE,L3F

Bild Artikelnummer Hersteller Beschreibung Aussicht
DF6D5M4N,LF DF6D5M4N,LF Toshiba Semiconductor and Storage X34 ESD PROTECTION DIODE BI-DIR Einzelheiten
DF6D6M4N,LF DF6D6M4N,LF Toshiba Semiconductor and Storage X34 ESD PROTECTION DIODE BI-DIR Einzelheiten
DF6D6UFE,L3F DF6D6UFE,L3F Toshiba Semiconductor and Storage TVS DIODE 5.5V 20V ES6 Einzelheiten
DF6D7M1N,LF DF6D7M1N,LF Toshiba Semiconductor and Storage TVS DIODE 5VWM 12VC 6DFN Einzelheiten