2SJ681(Q)

2SJ681(Q) - Toshiba Semiconductor and Storage

Numéro d'article
2SJ681(Q)
Fabricant
Toshiba Semiconductor and Storage
Brève description
MOSFET P-CH 60V 5A PW-MOLD
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
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Catégorie
Transistors - FET, MOSFET - Simples
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1 Day
Code de date
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3843 pcs
Prix ​​de référence
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2SJ681(Q) Description détaillée

Numéro d'article 2SJ681(Q)
État de la pièce Obsolete
FET Type P-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss) 60V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 5A (Ta)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 1mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 15nC @ 10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 700pF @ 10V
Vgs (Max) ±20V
FET Caractéristique -
Dissipation de puissance (Max) 20W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 170 mOhm @ 2.5A, 10V
Température de fonctionnement 150°C (TJ)
Type de montage Through Hole
Package de périphérique fournisseur PW-MOLD2
Paquet / cas TO-251-3 Stub Leads, IPak
Poids -
Pays d'origine -

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