2SJ610(TE16L1,NQ)

2SJ610(TE16L1,NQ) - Toshiba Semiconductor and Storage

Numéro d'article
2SJ610(TE16L1,NQ)
Fabricant
Toshiba Semiconductor and Storage
Brève description
MOSFET P-CH 250V 2A PW-MOLD
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
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Catégorie
Transistors - FET, MOSFET - Simples
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1 Day
Code de date
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3907 pcs
Prix ​​de référence
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2SJ610(TE16L1,NQ) Description détaillée

Numéro d'article 2SJ610(TE16L1,NQ)
État de la pièce Obsolete
FET Type P-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss) 250V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 2A (Ta)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3.5V @ 1mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 24nC @ 10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 381pF @ 10V
Vgs (Max) ±20V
FET Caractéristique -
Dissipation de puissance (Max) 20W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.55 Ohm @ 1A, 10V
Température de fonctionnement 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Package de périphérique fournisseur PW-MOLD
Paquet / cas TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Poids -
Pays d'origine -

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