BDS2A1002K6J - TE Connectivity Passive Product

Numéro d'article	BDS2A1002K6J
État de la pièce	Active
Résistance (Ohms)	2.6k
Tolérance	±5%
Puissance (Watts)	100W
Composition	Thick Film
Coéfficent de température	±150ppm/°C
Température de fonctionnement	-55°C ~ 125°C
Caractéristiques	RF, High Frequency
Revêtement, Type de logement	Epoxy Coated
Caractéristique de montage	Flanges
Taille / Dimension	1.496" Dia x 1.004" L (38.00mm x 25.50mm)
Hauteur - Assis (Max)	0.827" (21.00mm)
Style de fil	M4 Threaded
Paquet / cas	SOT-227-2
Taux d'échec	-
Poids	-
Pays d'origine	-

Numéro d'article	Les fabricants	La description	Vue
BDS20	SEME-LAB	SILICON PNP EPITAXIAL BASE IN TO220 METAL AND SMD1 CERAMIC SURFACE MOUNT PACKAGES	Détails
BDS20SMD	SEME-LAB	SILICON PNP EPITAXIAL BASE IN TO220 METAL AND SMD1 CERAMIC SURFACE MOUNT PACKAGES	Détails
BDS21	SEME-LAB	SILICON PNP EPITAXIAL BASE IN TO220 METAL AND SMD1 CERAMIC SURFACE MOUNT PACKAGES	Détails
BDS210	Eaton	SHAFT 8.26" FOR DISCONCT SWITCH	Détails
BDS21SMD	SEME-LAB	SILICON PNP EPITAXIAL BASE IN TO220 METAL AND SMD1 CERAMIC SURFACE MOUNT PACKAGES	Détails
BDS220	Eaton	SHAFT 8.66" FOR DISCONCT SWITCH	Détails
BDS240	Eaton	EXTENDED SHAFT .31X.31"	Détails
BDS250	Eaton	SHAFT 9.84" FOR DISCONCT SWITCH	Détails
BDS265	Eaton	SHAFT 10.43" FOR DISCONCT SWITCH	Détails
BDS280	Eaton	SHAFT 11" FOR DISCONNECT SWITCH	Détails