BDS2A1002K6J - TE Connectivity Passive Product

Número de pieza	BDS2A1002K6J
Estado de la pieza	Active
Resistencia (ohmios)	2.6k
Tolerancia	±5%
Potencia (vatios)	100W
Composición	Thick Film
Coeficiente de temperatura	±150ppm/°C
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 125°C
Caracteristicas	RF, High Frequency
Recubrimiento, tipo de vivienda	Epoxy Coated
Característica de montaje	Flanges
Tamaño / Dimensión	1.496" Dia x 1.004" L (38.00mm x 25.50mm)
Altura: sentado (máximo)	0.827" (21.00mm)
Estilo de plomo	M4 Threaded
Paquete / caja	SOT-227-2
Tasa de fracaso	-
Peso	-
País de origen	-

Número de pieza	Fabricantes	Descripción	Ver
BDS20	SEME-LAB	SILICON PNP EPITAXIAL BASE IN TO220 METAL AND SMD1 CERAMIC SURFACE MOUNT PACKAGES	Detalles
BDS20SMD	SEME-LAB	SILICON PNP EPITAXIAL BASE IN TO220 METAL AND SMD1 CERAMIC SURFACE MOUNT PACKAGES	Detalles
BDS21	SEME-LAB	SILICON PNP EPITAXIAL BASE IN TO220 METAL AND SMD1 CERAMIC SURFACE MOUNT PACKAGES	Detalles
BDS210	Eaton	SHAFT 8.26" FOR DISCONCT SWITCH	Detalles
BDS21SMD	SEME-LAB	SILICON PNP EPITAXIAL BASE IN TO220 METAL AND SMD1 CERAMIC SURFACE MOUNT PACKAGES	Detalles
BDS220	Eaton	SHAFT 8.66" FOR DISCONCT SWITCH	Detalles
BDS240	Eaton	EXTENDED SHAFT .31X.31"	Detalles
BDS250	Eaton	SHAFT 9.84" FOR DISCONCT SWITCH	Detalles
BDS265	Eaton	SHAFT 10.43" FOR DISCONCT SWITCH	Detalles
BDS280	Eaton	SHAFT 11" FOR DISCONNECT SWITCH	Detalles